最近、SEMICON 台湾 2026 IC フォーラムで、世界的なリソグラフィ大手 ASML は、大量生産 (HVM) に向けて前進する自社の高 NA EUV (高開口極端紫外) リソグラフィ マシンの最新のコア データと技術的進歩について詳細に開示しました。{{1}
生産規模と機器の納入に関して、ASML は、世界中の 4 社の顧客が設置を完了し、合計 10 台の高 NA EUV システムが完全に稼働していると発表しました。-さらに 3 つのシステムが現在出荷および設置段階にあります。現在までに、これらのマシンは累積 135 万枚以上のウェーハを露光しており、この技術は実験的検証から本格的な産業応用への移行を示しています。-特に、Intel はこのテクノロジーを利用して、Intel 18A プロセス ノードで特定の Core Ultra シリーズ 3 プロセッサ (コード名: Panther Lake) を量産することで先導しており、高 NA EUV を使用してロジック チップの大量出荷を達成した世界初の企業となっています。{{10}{11}}
装置のパフォーマンスと安定性の点では、第 1 世代の量産モデル EXE:5200B は、受け入れテスト中に 135 枚/時（WPH）のスループットを達成し、HVM 規格を満たしています。{0}{0}{1}}一方、世界のフリート稼働率は 84% まで増加しました。 ASML は、この割合が 2026 年末までに 90% に達すると予測しており、長期目標は 93% です。- ASML は、既存の NXE プラットフォームでのメンテナンス経験を活用することで、マシンのオーバーレイとフォーカスのパフォーマンスが厳しい量産要件を満たすことを保証しました。-
技術的な利点と将来のロードマップに関しては、以前の 0.33 NA EUV システムと比較して、0.55 NA High- EUV は優れた解像度を提供します。これにより、複雑なマルチ パターンを単一のパターンで置き換えることが可能になり、高度なノードの欠陥率、生産サイクル タイム、全体的なコストが直接削減されます。-さらに、この技術は 2D チップ レイアウトのための新しい設計空間を開き、金属相互接続層の総数を削減できる可能性があります。 ASML は将来を見据えて、10 年以上にわたる安定したテクノロジー ロードマップを確立しました。同社は、EUV光源の出力を増加（600Wから1000Wに）し、その他の機械プロセスを最適化することで、この10年末までに装置のスループットを180WPHまで向上させることを目指しており、2nmノードからオングストローム時代に至るまで半導体製造の中核的なサポートを提供し続ける。
