中国科学院（CAS）の長春光機械物理研究所（CIPM）は、学者の王立軍と研究者の寧永強氏の指導の下、CIPMの高出力半導体レーザーに関する研究チームが研究を実施したと報告した。最先端の狭線幅半導体レーザーと近年のキーテクノロジーについて解説します。
最近、チームの准研究員 Chao Chen は、外部光フィードバック構造に基づいた 852nm の狭い線幅の直線偏光半導体レーザーを報告しました。 このレーザー構造は、フェムト秒レーザー誘起複屈折ブラッググレーティングフィルターを導入し、それを高偏光相関のハイブリッドと統合することにより、30 dB を超える偏光消光比と 2.58 kHz という低い線偏光、狭線幅のレーザー出力を実現します。偏波モード選択フィードバックおよび注入同期技術を使用した半導体ゲインチップ。
図 (a) レーザーの励起スペクトル特性、(b) 注入電流による偏光消光比変化特性 (挿入図はレーザーの異なる波長板回転角度によって測定されたレーザーパワーを示します)、(c) ビート周波数パワースペクトル、時間遅延自己吸収によって測定されたレーザー線幅のフィッティング曲線、および (d) ローレンツ線幅の数値シミュレーションとテスト結果。
このレーザーは、量子精密測定システム用の潜在的な原子励起光源として使用でき、耐放射線性の狭線幅レーザーに関するこれまでの研究に基づいて、宇宙環境での冷原子量子実験システムでの使用も期待されています。オンボードとオンボードアローの両方。
