I. コアのボトルネック: AI の拡張による光インターコネクトの需要-の不均衡
AI コンピューティングの爆発的な成長により、データセンター内の高速データ伝送の需要が急増しています。{0}ただし、シリコンフォトニクス統合ソリューションは材料のバンドギャップ構造によって制限されており、自律的に光を生成できないため、コア光源としてInPレーザーに依存しています。海外光通信大手ルメンタム社の警告によれば、現在のInPレーザー不足はメモリチップ以上に深刻だという。現在、同社の出荷量は顧客の需要を 30% 以上下回っており、その差は拡大し続けています。この現象は、AI開発のボトルネックが「コンピューティングチップ」から「光インターコネクト」に移行していることを示している。
II.産業の機会: 3 つの主要セクターの突破口
InP レーザーの極度の不足により、光通信産業チェーン全体の価値分布が再形成されており、次の 3 つの分野で大きなチャンスが生まれています。
上流のコア原材料:InP の生産は高純度のインジウムに大きく依存しています。{0}世界最大の一次インジウム生産国（世界生産量の約70％を占める）として、中国は資源面で固有の優位性を持っている。 InP が輸出規制に含まれることにより、上流の高純度インジウムおよび基板材料企業の戦略的地位がさらに強調されます。{4}
中流の光チップとレーザー:IDM（Integrated Device Manufacturing）機能を持つ国内の光チップ企業が躍進を加速している。たとえば、国内企業は 6- インチの InP ベース レーザーのエピタキシャル成長プロセスの開発に成功し、主要な性能指標は国際トップレベルに達しています。これにより、国産光チップのコストが3インチプロセスの60～70％に削減され、国内代替が加速すると予想されている。
ダウンストリーム光モジュールとシステム統合:現在、世界の光モジュールサプライヤートップ10の半分を中国企業が占めている。上流のボトルネックに直面し、国内大手光モジュールメーカーは国産InP基板の輸入検証を積極的に推進している。 「チップ-」協調設計を採用することで、サプライ チェーンの安全性を確保し、単一製品の出力から包括的な「光相互接続ソリューション」システムに徐々に移行しています。-
Ⅲ．技術の進化: 供給のボトルネックにより CPO などの新技術の導入が加速
InP レーザーに関する従来のプラガブル光モジュールの容量ボトルネックに直面しているため、業界は高度に統合された Co- パッケージ光モジュール (CPO) テクノロジーへの移行を加速しています。 CPO は、光エンジンとスイッチング チップを同時パッケージ化することで消費電力を大幅に削減し、帯域幅密度を高めます。{2} CPO の大量生産は上流の InP レーザー チップの供給によっても制約されますが、この技術トレンドにより業界チェーンは生産能力の拡大を加速することになります。将来的には、エピタキシャル成長、チップ製造、またはシリコンフォトニクス統合における中核能力を習得した企業が、この技術反復ラウンドにおいてより強力な主導権を握ることになるでしょう。
